Samsung оголосила, що починає масове виробництво флешпам'яті V9 QLC NAND 9-го покоління, після запуску випуску TLC 9-го покоління. Компанія обіцяє вищу швидкість, доступну вартість і щільність зберігання даних, на 86% більшу ніж у пам'яті минулого покоління. Щільність зберігання у V9 QLC буде більшою, завдяки технології Can Hole Etching, що дає змогу досягти рекордної кількості (280) шарів завдяки конструкції з подвійним стеком.
У цьому поколінні пам'яті також використовуються технології Designed Mold і Predictive Program для збільшення місткості зберігання даних на 20% і швидкості введення/виведення на 60%. Ще однією відмінною характеристикою накопичувачів стало зменшене енергоспоживання, яке стало доступним завдяки технології Low-Power Design, яка дала змогу знизити споживання енергії на 30% під час читання даних і на 50% під час запису.
Samsung має намір використовувати флешпам'ять у різних продуктах, включно зі споживчими SSD, Universal Flash Storage (UFS) для мобільних пристроїв, і навіть серверні SSD для хмарних рішень, тим самим доводячи універсальність нового накопичувача.
Що стосується конкурентів, то нове покоління пам'яті від Samsung має на 50% і 30% більші щільність і продуктивність, відповідно (порівняно з найближчим аналогом).
Але головна особливість накопичувача від Samsung полягає в тому, що коштуватиме він набагато дешевше, як порівняти з рештою лінійок. І це все завдяки технічній модернізації та поліпшеній ефективності, яка дасть змогу V9 QLC мати продуктивність на рівні з пам'яттю TLC (Triple-Level Cell).
