Intel представила тривимірний багатошаровий CMOS-транзистор з джерелом живлення і прямим контактом на зворотному боці

На міжнародній конференції IEEE International Electron Devices Conference (IEDM) корпорація Intel представила 3D Stacked CMOS Transistor нового покоління з джерелом живлення і прямим контактом на зворотному боці для досягнення кращої продуктивності і масштабованості в мікросхемах наступного покоління.

Компанія також повідомила про кілька проривів у розробці та дослідженнях в області задньої панелі живлення і продемонструвала успішну великомасштабну тривимірну монолітну інтеграцію кремнієвих транзисторів з транзисторами нітриду галію (GaN) на одній 300-міліметровій пластині.

Серед іншого, дослідницька група Intel визначила основні напрямки, необхідні для подальшого масштабування за рахунок ефективного злиття транзисторів.

Зокрема, вони знайшли спосіб вертикального розміщення комплементарних польових транзисторів (CFET) зі зменшеним кроком затворів до 60 нм для досягнення кращого використання площі.

Перша реалізація внутрішнього блоку живлення Intel PowerVia буде запущена у виробництво в 2024 році.