Samsung представила нову високопродуктивну пам'ять GDDR7 і HBM3E

Під час заходу Memory Tech Day компанія Samsung поділилася інформацією про деякі моделі пам'яті наступного покоління, GDDR7 і HBM3E, які призначені для інтеграції зі штучним інтелектом і графічними процесорами.

GDDR7 вже деякий час знаходиться в розробці і буде використовуватися в відеокартах наступного покоління RTX 50 (Blackwell) і RX 8000 (RDNA 4). Серед іншого, нова пам'ять, як стверджується, споживає на 50% менше енергії в режимі очікування, хоча Samsung не надала занадто багато подробиць.

GDDR7 також використовуватиме сигналізацію PAM3, яка є простішою у виробництві і тому доступнішою.

Відеокарти з пам'яттю GDDR7 з'являться не раніше, ніж через рік, і, швидше за все, першими їх можна буде знайти на найсучасніших комп'ютерах.

HBM3E - це ще одна пам'ять нового покоління, яку компанія Samsung представила під кодовою назвою Shinebolt. Пам'ять може досягати швидкості 9,8 Гбіт/с на контакт при пропускній здатності 1225 ГБ/с на стек, що значно перевищує показники її попередників. Окремі екземпляри пам'яті також можуть бути з'єднані між собою, що дозволяє досягти до 216 ГБ при пропускній здатності 7,35 ТБ.